【环球网科技空洞报谈】近日laosege，针对英伟达（NVDA.US）测试其高带宽存储芯片（HBM）的媒体报谈，三星电子（SSNLF.US）再次发表官方复兴，清楚关系听说。三星方面默示，测试责任正在“按磋商”胜利进行，并与各客户保握密切互助，以优化产物质能。
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上周，有讯息传出英伟达已批准三星的8层HBM3E芯片用于其东谈主工智能贬责器。可是，三星速即对此听说进行了否定，称该报谈与事实相去甚远。“咱们无法证据与客户关系的听说，这个报谈并非实在情况。”三星的一位发言东谈主通过电子邮件明确复兴谈。
HBM（高带宽内存）当作一种动态就地存取存储器（DRAM）活动，通过垂直堆叠芯片的方法灵验检朴空间并降鸠拙耗，已成为东谈主工智能GPU不行或缺的要害组件。它大概高效贬责复杂哄骗方法产生的巨额数据，关于鼓励AI本领的发展具有进攻兴趣兴趣。现在，HBM3是新一代东谈主工智能GPU中最常用的第四代本领活动，而HBM3E芯片则汲取了更为先进的第五代活动。
在大家HBM芯片阛阓中，SK海力士与三星电子占据了主导地位，而好意思国芯片制造商好意思光科技（MU.US）紧随自后。上个月，英伟达首席施行官黄仁勋公开默示，公司正在积极评估好意思光和三星的HBM芯片，以评估它们的阛阓竞争力laosege，尤其是与SK海力士比拟的上风。